Most commonly noise diodes are used to create noise generators. To this date, the temperature dependence of parameters of signal generated by noise diode, of its breakdown voltage, series and differential resistance, and pulse rate is underexplored. In this work, silicon planar noise diodes of ND102L, ND103L and ND104L models are studied. It has been found using an experimental setup that highest breakdown voltage values are typical for ND102L model and lowest, for ND104L, over the entire range of temperatures studied. It was found that temperature rise leads to decrease in series resistance. This dependency is linear, it is most pronounced for ND102L model and least, for ND104L. It was demonstrated that differential resistance is independent of temperature in the temperature range under study. Study results indicate that the highest dependence of breakdown voltage and noise pulse rate on temperature is specific to ND104L model and the lowest, to ND102L model. It has been established that the greatest supply voltage stabilization is required when using noise diodes of ND104L model.
-
Key words:
noise diode, temperature, breakdown voltage, differential resistance, pulse rate
-
Published in:
Integral electronics elements
-
Bibliography link:
Zenevich А. O., Kochergina O. V., Buslyuk V. V., Fedosyuk D. N., Luschiy D. A. Temperature characteristics of noise diodes. Proc. Univ. Electronics, 2024, vol. 29, no. 5, pp. 608–615. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2024-29-5-608-615. – EDN: AOZPZB.
Andrey O. Zenevich
Belarusian State Academy of Communications, Belarus, 220114, Minsk, F. Skorina st., 8/2
Olga V. Kochergina
Belarusian State Academy of Communications, Belarus, 220114, Minsk, F. Skorina st., 8/2
Viktor V. Buslyuk
Brest State Technical University, Belarus, 224017, Brest, Moskovskaya st., 267; JSC “Tsvetotron”, Belarus, 224022, Brest, Suvorov st., 96A
Dmitry N. Fedosyuk
Brest State Technical University, Belarus, 224017, Brest, Moskovskaya st., 267; JSC “Tsvetotron”, Belarus, 224022, Brest, Suvorov st., 96A
Dmitry A. Luschiy
Brest State Technical University, Belarus, 224017, Brest, Moskovskaya st., 267; JSC “Tsvetotron”, Belarus, 224022, Brest, Suvorov st., 96A
1. Physical parameters of the broadband noise-generator diodes / V. V. Buslyuk, V. B. Odzhayev, A. K. Panfilenko et al. // Russ. Microelectron. 2020. Vol. 49. Iss. 4. P. 295–301. https://doi.org/10.1134/S1063739720040034
2. Горбадей О. Ю., Зеневич А. О. Исследование характеристик потока импульсов шумовых диодов, работающих в режиме микроплазменного пробоя // ПФМТ. 2018. № 2 (35). С. 7–10. EDN: LXCQAH.
3. Электрофизические параметры генераторных диодов для создания широкополосного шума / В. В. Буслюк, И. Ю. Нерода, А. Н. Петлицкий и др. // Журнал Белорус. гос. ун-та. Физика. 2017. № 1. С. 95–99. EDN: YQVMGE.
4. Рентюк В. Высокоэффективный генератор шума на базе стабилизатора напряжения // Компоненты и технологии. 2014. № 1 (150). С. 136–137. EDN: RRRTUJ.
5. Бельский А. Я., Сацук С. М., Путилин В. Н. Анализ шумовых характеристик диодного генератора в многоконтурной системе // Доклады БГУИР. 2020. Т. 18. № 5. С. 9–16. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-5-9-16. – EDN: AUGRKM.
6. Барановский О. К., Горбадей О. Ю., Зеневич А. О., Сильченко О. М. Исследование возможности использования шумовых диодов для генерации пуассоновского потока импульсов // Проблемы инфокоммуникаций. 2017. № 1 (5). С. 13–18. EDN: XSCAOD.
7. Горбадей О. Ю., Зеневич А. О. Использование диодов-генераторов шума для создания двухуровневой случайной числовой последовательности // Телекомунікаційні та інформаційні технології. 2017. № 3 (56). С. 12–17. EDN: YNNGFV.
8. Гулаков И. Р., Зеневич А. О. Фотоприемники квантовых систем: монография. Минск: Высш. гос. колледж связи, 2012. 276 с. EDN: POAPCX.
9. Буслюк В. В. Шумовые полупроводниковые диоды с управляемым уровнем дефектности высоколегированных кремниевых структур: автореф. дис. … канд. техн. наук. Минск, 2022. 23 с.